使用表 (B,H) 法计算渗透率

表 (B,H) 方法提供了稳定的迭代方案,用于使用 B - H 曲线设置材料的磁导率。使用此方法,可以提供离散 ( B , H ) 值的表。Simcenter STAR-CCM+ cint插补导入的值并构造连续 B - H 曲线。

输入表是 ( B , H ) 值的两列的表,具有以下要求:
  • 第一个项必须是 (0,0)。
  • 这些值必须是单调递增的,即每个 ( B , H ) 对的值必须大于上一个 ( B , H ) 对的值。如果曲线不是单调的,则 Simcenter STAR-CCM+ 将输出一条错误消息,并且模拟将停止。典型的单调 B - H 曲线如下所示:

    当两个连续表项的比率 ΔB/ΔH 小于真空磁导率 μ 0 时,Simcenter STAR-CCM+ 自动调整 B - H 曲线,使 ΔB/ΔH=μ0 并向输出窗口打印一条警告。

    典型的 ΔB/ΔH 曲线如下所示:

列标题可以包含单位指定。导入期间,Simcenter STAR-CCM+ 会将指定单位转换为 SI 单位(参见文件格式参考),前提是已在工具 > 单位节点下定义了指定单位(参见定义单位)。

如果如何在 Simcenter STAR-CCM+ 中导入 B - H 表的说明,参见使用 B-H 曲线定义渗透率

Simcenter STAR-CCM+ 插补导入的值并构造连续 B - H 曲线。当 B 变为大于表中提供的最大通量密度值时,Simcenter STAR-CCM+ 外推这些值。Simcenter STAR-CCM+ 可以更正最后两个数据点,使它们与外推一致。

插值和外推方法根据使用的磁矢势模型而变化:
插值/外推 {321}有限元磁矢势{322}模型 {323}有限体积磁矢势{324}模型
插值 导入的表值使用单调样条进行插值 导入的表值使用线性分段插值法进行插值
外插值 B - H 曲线通过指数函数平滑外推,其斜率接近真空渗透率 B - H 曲线按 μ 0 斜率从上一个点延伸