静电势模型

在静电应用中,Simcenter STAR-CCM+ 通过电势计算电荷分布引发的电场。

静电势方程

Simcenter STAR-CCM+ 根据以下公式计算电势:

1. EQUATION_DISPLAY
Aεϕda=VρdV
(4272)

上述公式通过对 Eqn. (4237) 进行网格单元域积分获得。Eqn. (4272) 说明通过闭合表面 A 的总电通量等于由表面 A 包围的体积 V 中包含的电荷。

Simcenter STAR-CCM+ 使用有限体积法对电势的 Eqn. (4272) 进行离散和求解。电场和电通量密度使用 Eqn. (4236)Eqn. (4219) 根据电势计算。

源项

Eqn. (4272) 的源项为电荷密度 ρEqn. (4272) 右侧的项表示体积 V 中包含的总电荷。

边界和交界面条件

在域边界处,求解必须满足定义电势 ϕ 的狄利克雷边界条件,或者满足定义与边界 [848] 垂直的电势梯度 ϕ 分量的诺伊曼边界条件。

在边界 Γ 处,可通过指定以下任一项定义诺伊曼边界条件:
  • 电通量密度 D(请参见 Eqn. (4219)
  • 单位电通量 Dn,即 DΓ 垂直的分量:
    2. EQUATION_DISPLAY
    Dn=εϕn
    (4273)

    其中,n 为边界表面法向。

  • 通过 Γ 的总电通量,即:
    3. EQUATION_DISPLAY
    Γ(εϕ)da
    (4274)

还可以在接触交界面处指定总电通量和单位电通量。

Electrostatic Force Density(静电力密度)

在静电中,Maxwell 应力张量可以定义为:

4. EQUATION_DISPLAY
σES(D)=1εDDε2(EE)I
(4275)

在两种材料之间的交界面处,Simcenter STAR-CCM+ 将交界面处的静电力密度计算如下:

5. EQUATION_DISPLAY
fES=(σES1σES0)n01
(4276)

其中,σES1σES0 表示交界面每侧的静电应力张量,n01 为从侧面 0 指向侧面 1 的表面法向。