谐波平衡 Fv 横向磁势模型参考

通过谐波平衡 Fv 横向磁势模型,可使用有限体积法对横向磁模式(即,位于 2D 域内的磁场)与单谐波时间依赖性进行建模。

该模型可对横向磁势的复数相量表示进行求解(请参见 Eqn. (4320))。磁通量 B^ 和磁场 H^ 根据 Eqn. (4268) 计算得出。可将谐波平衡 Fv 横向磁势模型与励磁线圈模型一起使用(请参见励磁线圈模型参考)。

使用谐波平衡 Fv 横向磁势模型时,可使用复数分布定义大多数物理量(包括边界和区域值)。有关定义复数分布的详细信息,请参见复量

模型名称 谐波平衡 Fv 横向磁势
理论 请参见谐波时间依赖性横向磁模式
提供方式 [物理连续体] > 模型 > 电磁
节点路径示例 连续体 > 物理 1 > 模型 > 谐波平衡 FV 横向磁势
要求
  • 空间二维轴对称之一
  • 时间稳态隐式非稳态之一
  • 材料气体液体固体之一
  • 电磁电磁
激活 材料属性 导电率磁导率。请参见材料属性
参考值 激励频率。请参见参考值
初始条件 磁矢势 Z。请参见初始条件
边界输入 磁矢势指定。请参见边界设置
区域输入 电流密度源选项电流守恒选项。请参见区域设置
求解器 谐波平衡 Fv 横向磁势(使用 AMG 线性求解器)。
监视器 Imaginary Transverse Magnetic Potential(虚部横向磁势)Real Transverse Magnetic Potential(实部横向磁势)
场函数 磁矢势 Z(虚部、实部、相、幅值)、Magnetic Flux Density(磁通量密度)(虚部、实部、相、幅值)、磁场(虚部、实部、相、幅值)、Electric Current Density-Z(电流密度 Z)(虚部、实部、相、幅值)、磁导率导电率(虚部、实部、相、幅值)。请参见场函数

参考值

激励频率
用于指定 Eqn. (4245) 中的频率 f0Simcenter STAR-CCM+ 需要整个接触或挡板交界面上的频率相同。将不同的连续体关联到接触区域时,要确保在两个连续体中设置相同的频率。

材料属性

磁导率
可用于使用常数或标量场函数定义 Eqn. (4320) 中的磁导率 μ
导电率
Eqn. (4263) 中的 σ 定义为复数分布。

初始条件

磁矢势 Z
可用于将横向磁势 A^z(请参见 Eqn. (4320))初始化为指定的复数分布。

边界设置

磁矢势指定
在横向磁模式下,磁矢势和电流片垂直于 2D 域。由于仅法向分量为非零,因此使用标量分布指定边界处的磁矢势和电流片(请参见边界和交界面条件)。对于谐波时间依赖性,将这些物理量指定为复数分布。
方法对应的物理值节点
电流片 Z
将边界处的电流片设为:
JS=J^Sn
其中,n 为边界法向,J^S 为指定的复数分布。
电流片
定义复数分布 J^S
磁矢势 Z
将边界处的横向磁矢势设为:
A=A^n
其中,n 为边界法向,A^ 为指定的复数分布。
磁矢势
定义复数分布 A^

区域设置

适用于流体、多孔区域和固体区域。

电流守恒选项
激活时,Simcenter STAR-CCM+ 将计算横向磁势,同时在该区域内强制执行电流守恒。请参见 Eqn. (4321)。显式指定导电区域的外边界处的横向磁势时(即在使用磁矢势 Z 边界条件时),将停用此选项。仅当涡流未被抑制时才可用。
电流密度源选项
可用于指定区域的电流密度。将该模型与励磁线圈模型结合使用时,此选项不可用。在这种情况下,电流密度由励磁线圈模型提供。
方法对应的物理值节点
未定义电流密度源。
指定
指定用户自定义电流密度源(Eqn. (4311) 中的 Ju)。
复杂电流密度源
用于将电流密度指定为复数分布。

场函数

导电率(虚部、实部、相位、幅值)
表示 Eqn. (4320) 中的复导电率 σ 的虚部、实部、相和幅值。
Electric Current Density-Z(电流密度 Z)(虚部、实部、相、幅值)
表示复电流密度 J^z 的虚部、实部、相和幅值。电流密度幅值 |J^z| 也称为峰值。
磁场(虚部、实部、相位、幅值)
表示复磁场 H ^ (请参见 Eqn. (4268))的虚部、实部、相和幅值。
磁通量密度(虚部、实部、相位、幅值)
表示复磁通量密度 B^(请参见 Eqn. (4268))的虚部、实部、相和幅值。
磁矢势 Z(虚部、实部、相、幅值)
表示复磁矢势 A ^ z (请参见 Eqn. (4252))的虚部、实部、相和幅值。
Permeability(渗透率)
表示 Eqn. (4320) 中的磁导率 μ0