谐波平衡 Fv 磁矢势模型参考

通过谐波平衡 Fv 磁矢势模型，可使用有限体积法对磁场与谐波时间依赖性进行建模。

对应的求解器根据 Eqn. (4254) 求解复磁矢势。根据 Eqn. (4268) 计算磁通量 $B$ 和磁场 $H$ 。可将谐波平衡 Fv 磁矢势模型与励磁线圈模型一起使用。


模型名称	谐波平衡 Fv 磁矢势
理论	请参见谐波时间依赖性。
提供方式	[物理连续体] > 模型 > 电磁
节点路径示例	连续体 > 物理 1 > 模型 > 谐波平衡 Fv 磁矢势
要求	空间：二维和三维之一时间：稳态和隐式非稳态之一材料：气体、液体和固体之一可选模型：电磁
激活	材料属性	导电率、磁导率。请参见材料属性。
	参考值	激励频率。请参见参考值。
	初始条件	磁矢势。请参见初始条件。
	边界输入	`磁矢势指定`。请参见边界设置。
	区域输入	`电流密度源选项`。请参见区域设置。
	求解器	谐波平衡磁矢势（使用 AMG 线性求解器）。
	监视器	Imaginary Magnetic X-Potential(X 磁势虚部)、Imaginary Magnetic Y-Potential(Y 磁势虚部)、Imaginary Magnetic Z-Potential(Z 磁势虚部)、Real Magnetic X-Potential(X 磁势实部)、Real Magnetic Y-Potential(Y 磁势实部)、Real Magnetic Z-Potential(Z 磁势实部)。
	场函数	磁矢势（虚部、实部、相位、幅值）、磁通量密度（虚部、实部、相位、幅值）、磁场（虚部、实部、相位、幅值）、磁导率、导电率（虚部、实部、相位、幅值）。请参见场函数。

参考值

激励频率: 用于指定 Eqn. (4245) 中的频率 $f_{0}$ 。Simcenter STAR-CCM+ 需要整个接触或挡板交界面上的频率相同。将不同的连续体关联到接触区域时，要确保在两个连续体中设置相同的频率。

磁矢势指定

Simcenter STAR-CCM+ 提供多种方法来指定边界处的磁矢势和电流片（请参见边界和交界面条件）。对于谐波时间依赖性，将这些物理量指定为复数分布。

方法	对应的物理值节点
电流片将电流片 ${\hat{J}}_{S}$ 设为指定复数分布 ${\hat{\bar{J}}}_{S}$ 的切向分量： ${\hat{J}}_{S} = {\hat{\bar{J}}}_{S} \|_{t_{1}, t_{2}}$	电流片用于指定复数分布 ${\hat{\bar{J}}}_{S}$ 。Simcenter STAR-CCM+ 将应用 ${\hat{\bar{J}}}_{S}$ 与边界相切的分量并忽略与边界垂直的分量。
磁矢势将边界处的磁矢势设为指定复数分布。	磁矢势用于将边界处的磁矢势显式设为复数分布 $\hat{A} = \hat{\bar{A}}$ 。
切向磁场将电流片设为指定磁场 $\hat{\bar{H}}$ 的切向分量： ${\hat{J}}_{S} = \hat{\bar{H}} \times n$ 其中， $n$ 为垂直于边界的单位矢量。	单位切向磁场用于将磁场指定为复数分布 $\hat{\bar{H}}$ 。Simcenter STAR-CCM+ 设置 $\hat{\bar{H}} \times n = J_{S}$ 。将忽略与边界垂直的分量 $\hat{\bar{H}}$ 。
对称 - 理想磁导体将垂直于边界的磁矢势分量设为零，同时保持切向分量自由： $\begin{array}{l} {\hat{A}}_{t_{1, 2}} f r e e \\ {\hat{A}}_{n} = 0 \end{array}$	无
反对称 - 理想导电体将磁矢势 $\hat{A}$ 的切向分量设为零，同时保持法向分量自由： $\begin{array}{l} \hat{A} \|_{t_{1}, t_{2}} = 0 \\ {\hat{A}}_{n} f r e e \end{array}$ 通常，需要在边界处指定 $\hat{A} \|_{t_{1}, t_{2}} = 0$ ，以防任何磁通量穿过边界。	无

适用于流体、多孔区域和固体区域。

电流密度源选项

用于指定区域的电流密度。将谐波平衡 Fv 磁矢势模型与励磁线圈模型一起使用时，此选项不可用。在这种情况下，电流密度由励磁线圈模型提供。

方法	对应的物理值节点
无未定义电流密度源。	无
指定指定用户自定义电流密度源（Eqn. (4311) 中的 $J_{u}$ ）。	复杂电流密度源用于将电流密度指定为复数分布。

导电率（虚部、实部、相位、幅值）: 表示 Eqn. (4263) 中的复导电率 $σ$ 的虚部、实部、相和幅值。
电流密度（虚部、实部、相、幅值）: 表示 Eqn. (4269) 中复电流密度 $\hat{J}$ 的虚部、实部、相和幅值。电流密度幅值 $| \hat{J} |$ ，也称为峰值。
磁场（虚部、实部、相位、幅值）: 表示复磁场 $\hat{H}$ （请参见 Eqn. (4268)）的虚部、实部、相和幅值。
磁通量密度（虚部、实部、相位、幅值）: 表示复磁通量密度 $\hat{B}$ （请参见 Eqn. (4268)）的虚部、实部、相和幅值。
磁矢势（虚部、实部、相位、幅值）: 表示复磁矢势 $\hat{A}$ （请参见 Eqn. (4252)）的虚部、实部、相和幅值。
Permeability（渗透率）: 表示磁导率 $μ = μ_{0}$ 。

方法	对应的物理值节点
电流片将电流片 ${\hat{J}}_{S}$ 设为指定复数分布 ${\hat{\bar{J}}}_{S}$ 的切向分量： ${\hat{J}}_{S} = {\hat{\bar{J}}}_{S} \|_{t_{1}, t_{2}}$	电流片用于指定复数分布 ${\hat{\bar{J}}}_{S}$ 。Simcenter STAR-CCM+ 将应用 ${\hat{\bar{J}}}_{S}$ 与边界相切的分量并忽略与边界垂直的分量。
磁矢势将边界处的磁矢势设为指定复数分布。	磁矢势用于将边界处的磁矢势显式设为复数分布 $\hat{A} = \hat{\bar{A}}$ 。
切向磁场将电流片设为指定磁场 $\hat{\bar{H}}$ 的切向分量： ${\hat{J}}_{S} = \hat{\bar{H}} \times n$ 其中， $n$ 为垂直于边界的单位矢量。	单位切向磁场用于将磁场指定为复数分布 $\hat{\bar{H}}$ 。Simcenter STAR-CCM+ 设置 $\hat{\bar{H}} \times n = J_{S}$ 。将忽略与边界垂直的分量 $\hat{\bar{H}}$ 。
对称 - 理想磁导体将垂直于边界的磁矢势分量设为零，同时保持切向分量自由： $\begin{array}{l} {\hat{A}}_{t_{1, 2}} f r e e \\ {\hat{A}}_{n} = 0 \end{array}$	无
反对称 - 理想导电体将磁矢势 $\hat{A}$ 的切向分量设为零，同时保持法向分量自由： $\begin{array}{l} \hat{A} \|_{t_{1}, t_{2}} = 0 \\ {\hat{A}}_{n} f r e e \end{array}$ 通常，需要在边界处指定 $\hat{A} \|_{t_{1}, t_{2}} = 0$ ，以防任何磁通量穿过边界。	无